Конец кремниевой эры: инженеры MIT представили метод создания 3D-чипов

Полупроводниковая промышленность стоит на пороге революции: инженеры Массачусетского технологического института (MIT) разработали инновационную технологию производства многослойных чипов, которая способна заменить традиционные кремниевые подложки. Это открытие обещает увеличить производительность компьютерных чипов до уровня современных суперкомпьютеров и изменить подход к созданию оборудования для искусственного интеллекта.

Согласно сайту MIT, основной вызов, стоявший перед разработчиками, заключался в необходимости работать при высоких температурах, разрушительных для базовой схемы. Однако исследователи нашли способ выращивать монокристаллические полупроводниковые материалы при температуре всего 380 °C, что стало возможным благодаря адаптации идей из металлургии.

Вместо сложных и громоздких кремниевых пластин теперь можно чередовать слои передовых материалов, таких как дисульфид молибдена и диселенид вольфрама. Эти материалы, способные заменить традиционные транзисторы, позволяют создать плотные 3D-структуры, которые обеспечивают лучшую связь между слоями, повышая производительность чипов.

Технология уже продемонстрировала возможность удвоения плотности элементов на чипах. В будущем такие многослойные устройства могут использоваться для создания портативных устройств с мощностью современных дата-центров.  

«Наш метод позволяет создавать чипы без ограничений, которые накладывают традиционные кремниевые технологии», — отметил ведущий автор исследования Джихван Ким. В рамках дальнейшей разработки технологии он основал компанию FS2 (Future Semiconductor 2D materials), которая займется коммерциализацией 3D-чипов нового поколения.

Этот проект поддержан Институтом передовых технологий Samsung и Управлением научных исследований ВВС США, что подчеркивает значимость разработки для индустрии.