В Японии создали новую энергонезависимую систему хранения данных

В Токийском университете (Япония) создали вертикально ориентированные трехмерные полевые транзисторы, предназначенные для создания систем хранения данных. Разработчики технологии отмечают, что она позволяет создавать системы с высокой плотностью записи информации, которые, при этом, демонстрируют низкое потребление энергии.

Новые трехмерные многослойные ячейки памяти основаны на вертикальных полевых транзисторах с оксидно-полупроводниковым каналом. Внутри последнего есть слой оксида гафния и слой оксида индия — первый является сегнетоэлектриком, а второй — антисегнетоэлектриком. Ячейка хранит данные благодаря эффекту спонтанной поляризации в кристаллах — информация, записанная в сегнетоэлектрическом слое по степени поляризации, считывается по перемене электрического сопротивления.

Применение антисегнетоэлектрика вместо сегнетоэлектрика позволяет редуцировать заряд, необходимый для стирания данных — этот факт значительно увеличивает эффективность записи информации. На конференции Института инженеров электротехники и электроники авторы разработки сообщили, что собранная ими тестовая система показала стабильную работу в течение одной тысячи циклов перезаписи.