В Токийском университете (Япония) создали вертикально ориентированные трехмерные полевые транзисторы, предназначенные для создания систем хранения данных. Разработчики технологии отмечают, что она позволяет создавать системы с высокой плотностью записи информации, которые, при этом, демонстрируют низкое потребление энергии.
Новые трехмерные многослойные ячейки памяти основаны на вертикальных полевых транзисторах с оксидно-полупроводниковым каналом. Внутри последнего есть слой оксида гафния и слой оксида индия — первый является сегнетоэлектриком, а второй — антисегнетоэлектриком. Ячейка хранит данные благодаря эффекту спонтанной поляризации в кристаллах — информация, записанная в сегнетоэлектрическом слое по степени поляризации, считывается по перемене электрического сопротивления.
Применение антисегнетоэлектрика вместо сегнетоэлектрика позволяет редуцировать заряд, необходимый для стирания данных — этот факт значительно увеличивает эффективность записи информации. На конференции Института инженеров электротехники и электроники авторы разработки сообщили, что собранная ими тестовая система показала стабильную работу в течение одной тысячи циклов перезаписи.
Аргентина решила стать официальным и самым южным в мире союзником НАТО, пополнив список из Австралии...
Известно, что чем больше в группе появляется видов, тем острее становится их конкуренция между собой...
Свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-83392 от 07.06.2022, выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи,
информационных технологий и массовых коммуникаций. При использовании, полном или частичном цитировании материалов
planet-today.ru активная гиперссылка обязательна. Мнения и взгляды авторов не всегда совпадают с точкой зрения редакции.
На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления
информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет",
находящихся на территории Российской Федерации)".