Сибирские ученые придумали, как повысить мощность РЛС и 5G

Отечественные ученые смогли улучшить свойства транзисторов на основе нитрида галлия. Такие транзисторы применяются в качестве ключевых элементов в системах радиолокации и сетях сотовой связи пятого поколения. Доклад, посвященный научному прорыву, прозвучал на XIV Российской конференции по физике полупроводниковых элементов.

Сверхвысокочастотные компоненты применяемых для радиолокации систем должны соответствовать самых жестким требованиям — они должны сохранять работоспособность при высокой температуре, а также обладать нужной мощностью и массогабаритными показателями. Главный элемент таких компонентов — транзистор с высокой подвижностью электронов.

Для создания нужных транзисторов используется нитрид галлия, синтез которого сопряжен с некоторыми существенными сложностями. Например, в процессе производства нитрида галлия в его кристаллической структуре часто появляется кислород, ухудшающий свойства полупроводника.

Сотрудники Института физики полупроводников имени Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, а также ученые из НГУ, МИЭТ и ФТИ имени Иоффе РАН разработали улучшенную методику синтеза нитрида галлия, полностью исключающую появление ненужного кислорода. Результатов, которые пригодятся как при создании новых РЛС, так и при изготовлении оборудования для 5G, удалось достичь благодаря применению специального компьютерного алгоритма.