Samsung приступила к производству модулей флеш-памяти для смартфонов емкостью 1 Тбайт

Южнокорейский электронный гигант Samsung Electronics объявил о начале серийного производства встраиваемых модулей флеш-памяти eUFS 2.1 емкостью в один терабайт. Именно таким объемом памяти, как уверены в руководстве Samsung, будут оснащаться смартфоны следующего поколения.

Скорость накопителей, о которых идет речь, вполне сравнима с показателями, демонстрируемыми твердотельными дисками, устанавливаемыми в ноутбуки премиум-сегмента.

Модуль eUFS 2.1 на 1 Тбайт, массовое производство которого начала компания Samsung Electronics, основан на памяти типа V-NAND, сочетаемой с новейшим контроллером.

Размеры модуля — одиннадцать с половиной на тринадцать миллиметров. Последовательное чтение данных с модуля может осуществляться со скоростью в районе 1000 мегабайт в секунду. Последовательная запись несколько медленнее — 260 МБ/с.

Предполагается, что новые модули флеш-памяти будут устанавливаться в топовые модификации смартфонов Galaxy S10, которые "Самсунг" должна анонсировать в конце февраля.

Массовое производство флагманских смартфонов Samsung Galaxy S10, по некоторым данным, уже стартовало. Будем надеяться, что на этот обойдется без серьезных производственных дефектов (что довольно маловероятно, т.к. запуск практически любого современного смартфона сопровождается многочисленными сообщениями о браке).