Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi 6 первыми получат процессор Qualcomm Snapdragon 835

Смартфоны Xiaomi Mi 6 и Samsung Galaxy S8 станут первыми мобильными девайсами, сердцем аппаратной платформы которых будут новейшие 10-нанометровые чипы Qualcomm Snapdragon 835, анонсированные 17-го ноября 2016-го года. Соответствующие слухи, появившиеся на просторах китайской соцсети Weibo, были распространены аналитиком Кевином Вонгом, известным своими сбывающимися прогнозами относительно гаджетов.

Вонг, ссылающийся на надежные инсайдерские источники, уверен, что грядущие флагманские смартфоны от Samsung и Xiaomi будут построены на базе восемьсот тридцать пятого "Снэпдрэгона" — чипа, созданного по 10-нм технологическому процессу Samsung FinFET.

Новый техпроцесс, как отмечают компетентные эксперты, повышает производительность процессоров как минимум на четверть, при этом, делая поверхность кристалла на тридцать процентов эффективнее и уменьшая итоговое потребление электроэнергии на сорок процентов.

Snapdragon 835, кроме нового техпроцесса, может похвастать и прочими значительными усовершенствованиями в архитектуре. Например, обновленной графической системой, поддержкой четырехканальной памяти LPDDR4X-1866, а также множеством прочих фишек.

Мобильные устройства с процессором Qualcomm Snapdragon 835 массово появятся на рынке в следующем году.